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基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备效率数据 在 浙江省数据知识产权登记平台 登记, 应用在 薄膜材料、PECVD工艺 领域

五号数据雷达数据知识产权登记2024-10-10 12:3869
2024-10-08 , 衢州市新材料产业知识产权联合会 旗下 基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备效率数据 数据知识产权在 浙江省数据知识产权登记平台 完成登记 , 应用于 薄膜材料、PECVD工艺 领域

衢州市新材料产业知识产权联合会 本次登记的数据知识产权 基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备效率数据, 本数据适用于反应温度在250°C至400°C之间的PECVD实验。这个温度范围内,等离子体增强化学气相沉积技术能够有效沉积薄膜材料,特别是在低温条件下沉积高质量的绝缘和导电薄膜。本数据特别适用于高质量薄膜材料的制备研究,如绝缘膜、半导体膜、光学膜等。通过调整反应条件,可以控制膜厚、介电常数、透光率等关键性能。适用于从事薄膜材料及PECVD工艺研究的科研人员,他们可以利用这些数据进行实验设计和结果分析。数据提供了薄膜厚度、介电常数、透光率的综合效能评分,能够帮助研究人员和工程师快速选择合适的工艺参数,实现最优的薄膜性能。利用数据中的综合效能指标,可以在保证薄膜质量的前提下,最大化生产效率,特别是在大规模工业生产中。通过这些数据的应用,本领域人员能够更加高效地优化PECVD工艺,提升薄膜材料的质量和生产效率,为研究和工业应用提供可靠的支持。膜厚(nm):产生的薄膜厚度。 膜的介电常数:薄膜的电学性能指标,反映薄膜的介电性能。 膜的透光率(%):薄膜的光学性能指标,反映薄膜对光的透过能力。 综合效能E是基于以下因素的加权和:膜厚(T):权重为0.3;膜的介电常数(K):权重为0.4;膜的透光率(L):权重为0.3; 可以计算综合效能E的公式E=0.3×T评分+0.4×K评分+0.3×L评分 其中,膜厚评分T评分、介电常数评分K评分和透光率评分L评分可以通过将原始值标准化(如采用线性插值法或归一化方法)

查看基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备效率数据

登记内容:

 

关于 衢州市新材料产业知识产权联合会 , 衢州市新材料产业知识产权联合会是位于中国浙江省衢州市的一个专业组织,致力于推动新材料产业的知识产权保护、技术创新和产业发展。该联合会通过提供法律咨询、技术交流和合作平台,促进会员企业间的知识产权共享与合作。

关于 浙江省数据知识产权登记平台 , 浙江省数据知识产权登记平台是浙江省市场监督管理局(省知识产权局)联合多个部门开发建设的数字化应用,属于‘浙江知识产权在线’的应用场景之一。该平台旨在提供数据知识产权登记公共服务,通过区块链存证或数据保全公证,对数据知识产权进行登记,颁发登记证书,用于数据流通交易、收益分配和权益保护。

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